在此我們以AVX貼片鉭電容的TAJ系列為例，進(jìn)行說(shuō)明如下：
1、鉭電容的浪涌電壓
鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路330hms(CECC國(guó)家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10倍額度電壓并高達(dá)30秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，在正常運(yùn)行過(guò)程中，電容應(yīng)定期充電和放電。
不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時(shí)，分類(lèi)電壓VC等于額定電壓VR，浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍；在85到125度時(shí)，分類(lèi)電壓VC等于額定電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類(lèi)電壓VC的1.3倍。
AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過(guò)電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時(shí)，有一個(gè)167千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓決不會(huì)超過(guò)規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX公司推薦降級(jí)表總結(jié)額定電壓使用上常見(jiàn)電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護(hù)電阻建議為1Ω/V，如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%，在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。A系列組合應(yīng)被用來(lái)增加工作電壓的等效電容器，例如，兩個(gè)22UF25V系列部分相當(dāng)于一個(gè)11UF50V的一部分。
2、鉭電容的反向電壓
AVX鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：
在1.0V25度條件下最大為10%的額定直流工作電壓在0.5V85度條件下最大為3%的額定直流工作電壓，在0.1V125度條件下最大為1%的額定直流工作電壓反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。
在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)類(lèi)似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱(chēng)電容的一半。
3、鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）——又稱(chēng)紋波電壓
這是最大的r.m.s.交流電壓，疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過(guò)該類(lèi)別電壓。
4、鉭電容的成型電壓
這是在陽(yáng)極氧化形成的電壓。這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個(gè)因素。
