創新器件采用七種緊湊的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、篩選選項，包括針對關鍵的醫療和軍工/航天應用的weibull失效率分級Vishay推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流（DCL）的鉭電容器。
在早期的醫療設備平臺中，直流泄漏僅僅是尚可的水平，然而現在則要求更低的直流泄漏。通過使用Vishay獨有的多陣列封裝（MAP），新的TM8器件顯著降低了直流漏電，并實現了更好的穩定性。借助專利的MAP組裝技術，TM8電容器為在這些應用中實現盡可能高的可靠性和效率提供了一個健全的設計。此外，器件遵照MIL-PRF-55365標準進行了嚴格的處理和測試。
在7種緊湊的外形尺寸內，TM8系列提供從1UF/40V至47UF/10V的容量-電壓（CV）等級范圍。電容器很適合植入式醫療設備、醫療儀器及軍工/航天系統等關鍵應用中對長期性能的要求。TM8器件還具有特殊的篩選和為特定應用定制的選項。
Vishay鉭電容為諸多設備中的濾波、耦合/解耦、直流阻塞和儲能應用進行了優化，如起搏器、ICD、神經刺激器、助聽器和人工耳蝸等醫療設備；病人監護設備、自動給藥系統、成像和診斷設備等醫療儀器；軍用和航天混合微電路/多芯片模塊、智能軍需在、GPS系統、傳感器及手持式便攜電子系統。
為保證在苛刻環境中的可靠性和長期性能，Vishay提供了在+85度下40小時的老化階段或weibull分級B級，利用這兩種篩選方法能夠達到0.1%的失效率。浪涌電流選項包括選項A（在+25度進行10個循環）和選項B（在-55度/+85度下進行10個循環）。Vishay使用專用生產線生產這些電容器，并有經驗豐富員工確保在生產過程中各個環節的生產質量。電容器采用緊湊的L、M、N、P、R、T和W外形代碼，是空間受限的便攜式/植入式應用的絕佳選擇，同時其低DCL確保高效運行并延長電池壽命。TM8的L形接頭允許采用高級電路板安裝，在最終用戶的量產中可對焊錫的圓角進行視覺檢查（或自動光學檢查）。
這些符合Rohs的器件的工作溫度為-55度至+85度，電壓降級情況下的溫度可達+125度，電壓范圍為2WVDC-40WVDC。
TM8電容器采用符合per EIA-481-1標準的卷帶包裝，現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周。
信息來源：鉭電容
