多層陶瓷電容可以廣泛應用于移動電話、計算機、數(shù)碼相機、汽車等領域，但近年來數(shù)字產(chǎn)品的技術進步對陶瓷電容提出了新要求。例如，移動電話的迅猛發(fā)展要求更高的傳輸速率和更高的性能。在基帶中，為了滿足TV、視頻、游戲的要求，要求高速度、低電壓的處理器；LCD模塊要求低厚度(0.5mm)、大容量電容；PA模塊則期待小型化的產(chǎn)品。
而汽車環(huán)境的苛刻性更是對多層陶瓷電容有一些特殊的要求：首先是耐高溫；其次是在電池電路上需要短路失效保護設計。汽車中的電子設備日益增多，且發(fā)動機空間狹小，放置于其中的多層陶瓷電容必須能滿足150度的工作溫度。由此可見，小型化、高速度和高性能、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電容的關鍵特性。
陶瓷電容的核心技術是介電層的厚度，薄介質層是實現(xiàn)高容量的主要因素。水野健一指出，制作超薄陶瓷層目前主要面臨兩方面的困難：其一是可靠性，其二是加直流電壓后的偏置情況。針對第一個難點的解決辦法是采用更精細、更均勻的陶瓷材料、細薄平滑的內部電極以及改善MLCC制作工藝。精細陶瓷材料的尺寸較小、分布較集中，同時，可靠性也與優(yōu)化的混合和流延條件以及分散劑、粘合劑的選擇密不可分。內部電極則通過抗氧化精細金屬粉末和漿料流變學得以改善。采用新技術制造的產(chǎn)品具有相當于原來產(chǎn)品5倍的壽命。
陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓變化而變化的特性是由鈦酸鋇的鐵電現(xiàn)象造成的，這取決于鈦酸鋇的微觀結構。直流偏置電壓降低了介電常數(shù)。通過改變鈦酸鋇的晶格結構和摻雜物，可以改善直流偏置特性。鈦酸鋇的晶格結構有兩種：分別是核殼晶格結構和均勻晶格結構。對于薄介質可利用核殼晶格結構，通過控制殼的傳導率和核殼之間的比率，降低介電常數(shù)對電壓的依賴，從而優(yōu)化直流偏置電壓特性。
從近年來的市場發(fā)展來看，陶瓷電容正越來越多地進入高電容領域，“目前占主導地位的是10uF的陶瓷電容，未來將更多地出現(xiàn)100uF的產(chǎn)品。”從0402尺寸的超小型，到用來替代鉭電容和電解電容的大電容產(chǎn)品，及低ESL型、高頻用產(chǎn)品和排列型產(chǎn)品。陶瓷電容器幾乎可以滿足所有可能的應用需求。不僅可以滿足大多數(shù)的容量要求，而且具有小尺寸的優(yōu)勢。
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陶瓷電容
